เวลาทำการ: จันทร์-ศุกร์ เวลา 09:00-17:30 น.

!!   รู้ลึก  รู้จริง เรื่องเครื่องมือทดสอบวัสดุ  !  ยืน 1 เรื่องมาตรฐานการให้บริการ   

เครื่องอบความร้อนอย่างรวดเร็ว (AS-Micro  Economical 3-inch Rapid thermal processing system) ยี่ห้อ ANNEALSYS
เป็นอุปกรณ์ที่ใช้ในกระบวนการผลิตชิป หรือวงจรรวมอิเล็กทรอนิกส์ (Integrated Circuit) โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับชิปขนาดเล็กที่มีเส้นผ่านศูนย์กลาง 3 นิ้ว หลักการทำงานเบื้องต้นของ เครื่อง RTP จะใช้ความร้อนสูงเพื่อเปลี่ยนแปลงคุณสมบัติทางกายภาพและทางเคมีของวัสดุ เช่น ซิลิคอน ในกระบวนการผลิตชิป การให้ความร้อนแบบรวดเร็วและสม่ำเสมอนี้จะช่วยให้ควบคุมคุณสมบัติของชิปได้อย่างแม่นยำ ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของชิป
*ราคาอาจมีการเปลี่ยนแปลงตามอัตราแลกเปลี่ยน โปรดสอบถาม Line : @siamintercorp

แท็ก:

07 พฤศจิกายน 2567

ผู้ชม 36 ผู้ชม

Economical 3-inch RTP system for laboratories and education.
Dual chamber version to avoid cross contamination issues.
Optional glove box interface

The AS-Micro can perform various rapid thermal annealing processes at atmospheric pressure or under vacuum.

  • Rapid Thermal Annealing (RTA)
  • Implant annealing
  • Ohmic contact annealing
  • Rapid Thermal Oxidation (RTO)
  • Rapid Thermal Nitridation (RTN)
  • Rapid Thermal Evaporation (RTE)
  • Densification and crystallization
  • Diffusion of dopants
  • Etc.

The most powerful 3-inch rapid thermal processor for universities

The AS-Micro is a compact table top three-inch rapid thermal processor with vacuum capability dedicated to research applications. It can process substrates from few square millimeters up to 3-inch diameter or square. Optional susceptors are available to hold small samples and to process substrates with low infrared absorption.
The quartz tube process chamber with stainless steel flanges and tubular infrared halogen lamps furnace allows running processes up to 1250°C with very fast ramp rates (> 250°C/s). The state of the art temperature controller provides accurate temperature control.
The horizontal motion door with quartz tray provides easy access for loading and unloading of the wafers and thermocouple installation.

The furnace provides the highest ramp rate up to 250°C/s for 2-inch wafers

  • Temperature range: RT to 1250°C
  • Ramp rate up to 250°C/s on 2-inch diameter silicon substrate, 200°C/s on 3-inch
  • Gas mixing capability with mass flow controllers
  • Vacuum range: Atm to 10-2 Torr (10-6 Torr with optional turbo pump)
  • Thermocouple temperature control with fast digital PID temperature controller
  • Optional pyrometer control
  • Full PC control with Windows compatible software

Optional features are available for high temperature applications and high vacuum capabilities

  • Pyrometer temperature control
  • Graphite and silicon carbide coated susceptors
  • Rough vacuum pump, Turbo pump
  • Downstream pressure control with throttle valve

Product Brochure

Engine by shopup.com